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MOSFETのスイッチング速度について
投稿日 : 2023/11/19(Sun) 08:58
投稿者 NULL
はじめまして。
こちらのサイト以前より拝見しておりました。
今回はじめての投稿です。
何卒よろしくお願いします。

私は職場でなにか検証が必要になると、
課題を家に持ち帰りいろいろ作ったり実験したりしています。

今回は、瞬断試験をおこなう治具を作成していますが
瞬断時間が0.1ms~とシビアであることから、従来のバイポーラではなくFETを使用したいと考えております。
まず机上設計をして、基板に組み付ける前にブレッドボードで実験しましたが、いまいち上手くいきません。

どんな内容なのかは添付したファイルをご覧いただきたいのですが、
ざっくり申しますとショート、オープン2つのモードで瞬断をおこなう治具であり、これのON/OFF時に急峻な特性を作らねばなりませんが、それがなまってしまうのです。
たしかにバイポーラよりは高速ですが、データシートを見る限り、FETの性能を引き出せていないように思います。
そもそもFETはあまり使用したことがなく、情報はなるべく自分で探すようにしましたが、調べ方がよくないのか、あまり手ごたえはありませんでした。

何かヒントでも頂けないかと思い、投稿させていただきました。何卒よろしくお願いします。

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Re: MOSFETのスイッチング速度について
投稿日 : 2023/11/19(Sun) 16:13
投稿者 中の人1号
投稿元IPアドレス : 217.178.143.118
投稿元ホスト : 118.143.178.217.shared.user.transix.jp
NULLさんはじめまして。ようこそいらっしゃいませ。
あらー長らくご覧いただきありがとうございます。
最近はスパム投稿しか来ないなーと思いながらも維持し続けたかいがありました。

添付の回路図を拝見しました。問題等は無さそうに見えるのですけれどね。

負荷にキャパシタンスがぶら下がっているのかもと思いますので、いったんは疑似負荷として純抵抗で試されるのがいいのかなとは思いました。

50V 0.2Aとありますのでフル負荷では250Ωになるのでしょうが、まずは1kΩあたりが良さそうに思います。それでも2.5Wの電力消費になりますので、定格10Wくらいので試験前中後は触れない等の注意は必要かと思います。

また、スイッチとドライバ(Q1〜Q4)を含む部分回路は、負荷の直近で最短の配線で接続されるのが良いかと思います。ここに過分なインダクタンスがぶら下がると何を試験しているのかわからなくなってしまいそうですので。

電源から電源入力(J2)までの配線もしかりで、もし長くなってしまわざるを得ない場合は、スイッチ(Q1)の近くに大容量1000uFくらいのコンデンサがほしいところなのですが、Q1オン時の放電電流も心配なので3Ωくらいの直列抵抗の挿入が必要なのかなとか…悩ましいところですね。
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